一种防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸的方法

本发明公开了一种防止沟槽肖特基二极管晶圆背腐进酸的方法，包括以下步骤：采用多个梯形夹具间隔固定于晶圆的边缘环形区域，所述梯形夹具的底部朝向晶圆的光刻图形区域，使得梯形夹具与所述边缘环形区域接触的区域与光刻图形区域之间形成一个钝角；进行多晶硅淀积、反刻蚀工艺；进行钝化层淀积、干法刻蚀以及金属化工艺；进行芯片减薄工艺，在正面贴蓝膜保护，然后进酸腐蚀液进行背面腐蚀工艺。该方法采用梯形夹具设计和高选择比刻蚀气体SF6，优化了沟槽结构和多晶硅层的厚度，使得沟槽内壁的坡度更加平缓，为后续蓝膜的均匀覆盖提供了良好的基础。