芯片的低温键合方法

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片的低温键合方法，其包括：制备具有微凸点的上芯片，微凸点包括含Sn的低温材料；制备具有铜柱的下芯片，并降低铜柱的键合面的粗糙度；将微凸点和铜柱的键合面相对，并在真空环境下，以温度为50‑150℃，压力为10‑40MPa，脉冲电压为2‑6V，进行键合。本发明的芯片的低温键合方法能够实现低温键合，提高键合的稳定性，减少键合带来的热损伤，并且改善键合后上芯片、下芯片的基板出现翘曲问题。