包括包含铁磁和非磁性材料的堆叠的一个或多个导体的半导体组件

在根据本发明的组件——例如集成电路芯片或中介层芯片(2)——中，提供了一种介电层(5)，所述介电层具有平坦的上表面(9)和穿过上表面形成的第一沟槽(10)，该沟槽具有基底(11)和直立的侧壁(12)。导体(4)被布置在沟槽中，该导体包括由相交替地堆叠的非磁性层和铁磁层(15，16)形成的堆叠(14)。该堆叠共形地沿着沟槽的基底和侧壁。换言之，该堆叠沿着所述基底和侧壁延伸，使得该堆叠本身限定内部沟槽(17)，即第一沟槽内的第二沟槽。第二沟槽填充有导电材料的中心部(18)。铁磁层和非磁性层的堆叠(14)的存在抑制了高频下的趋肤效应。在第一沟槽的侧壁上存在堆叠不会在很大程度上适用的频率范围内恶化趋肤效应的抑制。