一种具有静电保护结构的MOS管芯片

本发明涉及MOS管芯片技术领域，具体涉及一种具有静电保护结构的MOS管芯片，包括封装盒以及封装在封装盒上的封装盖，封装盒的内部设置有安装槽，封装盒的四周均设置有若干引脚，封装盒的内部设置有封装芯片基板；封装芯片基板远离封装盖的一面设置有绝缘层，绝缘层远离封装芯片基板的一面设置有静电保护层，静电保护层用于引导进行静电防护。相较于现有技术，本申请通过设置有静电保护层，不仅使静电保护层具备了快速泄放静电的能力，还能在恶劣环境下提供长期稳定的使用性能，提升了静电保护的可靠性和适应性，确保芯片在各种复杂环境中的安全性。