激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法

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激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法
申请号:CN202510188800
申请日期:2025-02-20
公开号:CN119674703B
公开日期:2025-05-06
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法,涉及激光技术领域。其中,阵列激光芯片的制备方法包括:生成衬底;其中,衬底对稀土增益材料的增益谱线波段内的光透明;基于衬底,利用电子束光刻技术,刻蚀得到多个光子晶体微腔;其中,多个光子晶体微腔中,至少一个光子晶体微腔的谐振模式与其他光子晶体微腔不同;利用微纳材料转移技术,将稀土增益材料转移到每一个光子晶体微腔的表面,在每一个光子晶体微腔的表面形成稀土增益材料层。本发明可以有效利用稀土增益材料的光学性质,提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片。
技术关键词
光子晶体微腔 化合物纳米材料 激光 电子束光刻技术 光子集成器件 谐振 阵列 芯片 波长 荧光 稀土化合物 光子器件 模式匹配 衬底 涂覆技术 粒子
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