一种纳米银膜及其制备方法和功率器件封装结构

本发明涉及电子封装技术领域，尤其涉及一种纳米银膜及其制备方法和功率器件封装结构。纳米银膜的制备方法包括以下步骤：将含包覆剂的银源溶液与还原剂溶液混合反应，得到纳米银线悬浊液；将纳米银线悬浊液进行抽滤或过滤，使纳米银线附着于滤膜，形成纳米银线层；向纳米银线层施加粘接剂，干燥后得到纳米银膜。本发明的功率器件封装结构中芯片通过上述的纳米银膜以热压烧结工艺固定于基板，芯片在基板固定后的剪切强度为65～110MPa，纳米银膜烧结体的电阻率为5×10‑8～20×10‑8Ω·m、孔隙率为1.5％～5％。本发明以原位纳米银线制备所得的纳米银膜具有很高的剪切强度以及优异的导电性能，能够用于大功率器件的封装。