一种VCSEL阵列氧化孔径智能优化设计方法

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一种VCSEL阵列氧化孔径智能优化设计方法
申请号:CN202510205540
申请日期:2025-02-24
公开号:CN119989577A
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种VCSEL阵列氧化孔径智能优化设计方法,用以改善VCSEL阵列温度分布均匀性,从而提高激光器整体性能。本发明首先通过训练BP神经网络模型替代热电反馈模型,建立了氧化孔径与稳态结温之间的映射关系,然后直接选取VCSEL阵列各单元的氧化孔径进行染色体的编码,构建了表征VCSEL阵列温度均匀性的适应度函数来提供优化标准,最后采用遗传算法来实现任意形状和单元个数的VCSEL阵列氧化孔径最优优化设计。本发明有效缩短了寻求VCSEL阵列最优氧化孔径设计中的人力成本和时间成本。最后,以具有61个单元的六边形VCSEL阵列为例进行了氧化孔径优化设计,并证明了本发明方法的有效性和实用性。
技术关键词
VCSEL阵列 智能优化设计方法 染色体 BP神经网络模型 稳态 结温 遗传算法 BP神经网络预测 热电 样本 神经网络结构 变量 误差函数 基因 数据 交叉点
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