一种MRAM芯片的可微调参考单元电路

本发明提供了一种MRAM芯片的可微调参考单元电路，该可微调参考单元电路包括：初始参考单元子电路、粗调单元子电路、细调单元子电路、微调控制子电路；其中初始参考单元子电路由高电阻状态RAP和低电阻状态RP的MTJ组成，所述粗调单元子电路和细调单元子电路包括多个电阻单元和用于控制的NMOS，其中粗调单元子电路的电阻单元由RAP和RP状态的MTJ组成，细调单元子电路的电阻单元由RP状态的MTJ组成，微调控制子电路控制所有电阻单元对应的NMOS管的栅极；所述电路适用于MRAM感测放大器的参考端，用于提供参考电流，可以在一定范围内进行高精度的阻值微调，电路结构简单，使用的MOSFET数量少，占芯片面积小，电路稳定性高，工艺兼容性好，微调范围广，精度高。