基于辐射响应信号的中子-伽马混合辐射甄别方法

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基于辐射响应信号的中子-伽马混合辐射甄别方法
申请号:CN202510207538
申请日期:2025-02-25
公开号:CN119882016A
公开日期:2025-04-25
类型:发明专利
摘要
基于辐射响应信号的中子‑伽马混合辐射甄别方法,依托于纳米镀层CMOS传感器中子测量系统;纳米镀层CMOS传感器中子测量系统,包括探测器;探测器包括CMOS传感器;CMOS传感器的感光面附着有LiF薄膜;方法如下:一部分的中子使CMOS传感器产生辐射响应信号A;另一部分中子与6Li发生核反应,产生α射线和3T离子,使CMOS传感器分别产生辐射响应信号B和辐射响应信号C;γ射线使CMOS传感器产生辐射响应信号D;根据上述4种辐射响应信号在形态学和/或灰度值上的区别,实现中子‑伽马混合辐射场的甄别。本发明采用LiF薄膜与CMOS传感器相结合所形成的探测器用于中子‑伽马混合辐射场的甄别,可用于监测反应堆的核泄漏。
技术关键词
CMOS传感器 甄别方法 中子 信号 真空热蒸发镀膜技术 射线 芯片板 探测器 薄膜 混合辐射场 PC机 监测反应堆 像素 镀层 椭圆形 电路板 纳米 离子 长宽比
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