使用多遍沉积技术形成半导体结构的系统和方法

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使用多遍沉积技术形成半导体结构的系统和方法
申请号:CN202510208876
申请日期:2025-02-25
公开号:CN120556007A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
提供了一种形成半导体结构的方法。该方法包括将衬底安置在半导体处理系统的第一室中,当衬底安置在半导体处理系统的第一室中时沉积覆盖衬底的第一层对,以及从第一室移除衬底。将衬底转移至联接到半导体处理系统的第一室的第二室,安置在半导体处理系统的第二室中,并且当衬底安置在第二室中时,第二层对沉积在衬底上,使得第二层对覆盖第一层对。还描述了半导体结构和半导体处理系统。
技术关键词
硅锗材料 高温计 末端执行器 半导体结构 机器人 闸阀 硅烷 衬底支撑件 层沉积 容纳衬底 控制器 沉积技术 指令 存储器
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