摘要
本发明公开了一种封装结构的封装方法,包括以下步骤:步骤S1:制备存储芯片,步骤S2:制备中介层和牺牲层,步骤S3:通过贴装、排布、沉积、光刻、刻蚀、金属互联的工艺制备存储逻辑复合芯片组,步骤S4:通过贴装、RDL制作、UBM制作、植球和焊接的工艺将存储逻辑复合芯片组安装到基板上:步骤S5:将上述的存储逻辑复合芯片组和基板塑封为一个整体;控制芯片通过中介层与外界电性连接,不仅能在控制芯片的两侧进行堆叠来获取更大的存储空间,还能在控制芯片的下方额外获得一层的若干个放置位置,从而在有限的面积基础上极大地提高了整体的存储空间和存储能力,同时适配不同的控制芯片以及不同的存储芯片,以便于根据实际需求进行存储芯片和控制芯片的数量以及搭载结构的设计。
技术关键词
存储芯片
封装方法
封装结构
中介层
控制芯片
控制电路
植球工艺
保护膜
逻辑
制作存储单元
双面胶层
光刻胶
阵列
叠放结构
贴膜工艺
集成电路
电镀
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