一种基于多层ITZO薄膜的人工突触晶体管及其制备方法与应用

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种基于多层ITZO薄膜的人工突触晶体管及其制备方法与应用。本发明制备了一种基于多层ITZO薄膜的人工突触晶体管，其结构包括依次层叠的衬底、有源层、源‑漏电极层、钝化层以及栅介质层。其中，有源层由多层ITZO薄膜构成，通过调控有源层厚度为28～36nm，极大减少了薄膜表面缺陷，显著优化了晶体管有源层的界面质量。不仅大幅提升了器件的迁移率，还显著增强了其运行稳定性与突触可塑性。得益于上述材料的巧妙结合，该突触晶体管展现出了卓越的电学性能，为仿生感知器件、神经形态存储器以及类脑计算芯片等多个领域开辟了新的应用前景，展现出了巨大的潜力与价值。