硅转接板的制备方法和硅转接板

本申请公开了一种硅转接板的制备方法和硅转接板，属于半导体技术领域。该制备方法包括，提供晶圆；其中，所述晶圆包括硅基底和层间介质层，所述层间介质层设置在所述硅基底上，且所述层间介质层的介电常数在预设范围内，所述层间介质层中设置有第一导电件；在所述硅基底远离所述层间介质层的一侧沉积掩膜层，并基于所述第一导电件在所述掩膜层上刻蚀通孔，将所述通孔的底部刻蚀至所述第一导电件靠近所述硅基底的一侧；在所述通孔内部填充导电材料，其中，所述导电材料与所述第一导电件电连接。本申请的技术方案将通孔从硅基底远离层间介质层的一侧进行刻蚀，实现完全或部分避免刻蚀到层间介质层，从而避免出现层间介质层的过刻蚀问题。