一种适用于半导体激光器芯片的解理镀膜设备及其控制方法

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一种适用于半导体激光器芯片的解理镀膜设备及其控制方法
申请号:CN202510211716
申请日期:2025-02-25
公开号:CN120072705A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种适用于半导体激光器芯片的解理镀膜设备及其控制方法,设备包括传送腔室,以及环绕在传送腔室外周的若干个预备腔室、若干个进样腔室、翻转腔室、至少一个沉积腔室和至少一个解理腔室;所述预备腔室与进样腔室之间设置超高真空闸阀进行隔离,预备腔室与传送腔室连通;所述翻转腔室、沉积腔室和解理腔室与传送腔室之间设置超高真空闸阀进行隔离,所述传送腔室内设有真空机械手,以实现芯片在各个腔室之间流转。本发明具有结构紧凑、操作简单、运行稳定且自动化程度高等特点,实现了激光器芯片在超高真空环境条件下的解理、钝化工艺,保障了巴条腔面获得高质量性能。
技术关键词
半导体激光器芯片 腔室 真空机械手 镀膜设备 烘烤组件 翻转组件 刀组件 旋转驱动组件 钝化膜层 闸阀 超高真空环境 离子泵 钝化工艺 后道工序 镀膜工艺 真空系统
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沪ICP备2023015588号