一种芯片正面铜电极互连用覆膜铜片及其制备方法和应用

本发明提供了一种芯片正面铜电极互连用覆膜铜片及其制备方法和应用。本发明的覆膜铜片的制备方法，包括如下步骤：S1：对裸铜片进行预处理和单面金属化处理，得到具有单面金属化层的铜片；S2：在铜片的单面金属化层上涂覆金属焊膏，随后在惰性或还原性气氛下烘干，得到具有金属焊膜的铜片；S3：在铜片的金属焊膜的部分点位施加临时粘接剂，得到芯片正面铜电极互连用覆膜铜片。本发明能够在转移与烧结过程中为覆膜铜片与芯片之间提供临时充足的粘接力，在烧结过程中临时粘接剂能够与金属焊膏实现有机互溶，解决了有机物污染和键合面积减小等问题。