一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构

本发明公开了GaN HEMT器件多噪声源电路拓扑结构，由于高频条件工作下，器件元件的分布效应的影响，GaN HEMT器件噪声源不能用简单集总噪声源表征，因此，GaN HEMT器件的栅极、漏极以及内部噪声源都为多个。其中寄生电感和电容无噪声元件，寄生部分的噪声源主要是寄生电阻的热源噪声和无噪声二端口网络在栅极节点和源极节点处的等效噪声源和不再简单抽象为单个噪声源，而使用多个噪声源来代替。该多噪声等效电路模型能够表征高频工作条件下GaN HEMT器件的噪声，由于该模型表征器件的分布效应，所以模型的参数更加准确同时具有一定的物理意义，能更好地指导器件工艺设计和电路设计。