用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙

本公开涉及用于分离相邻器件之间的栅极电介质的电介质墙。本文提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括相邻半导体器件之间的电介质墙，其中，相邻半导体器件的栅电极在电介质墙上方导电连接。相邻的第一半导体器件和第二半导体器件各自包括在半导体区域周围或以其他方式位于半导体区域上的栅极结构。每个栅极结构均包括栅极电介质和栅电极。电介质墙可以在相邻器件的半导体区域之间在第一方向上延伸，并且沿着相邻栅极结构的总高度的一部分在第三方向上延伸。因此，在电介质墙的顶表面上方，第一器件的栅电极的部分接触第二器件的栅电极的部分。电介质墙将第一器件的栅极电介质与第二器件的栅极电介质的任何部分进行分离。