穿过半导体器件之间的鳍状物隔离结构的导电过孔

本文提供了用于形成具有延伸穿过鳍状物隔离结构的导电过孔的集成电路的技术。晶体管各自包括在源极和漏极区域之间在第一方向上共线地延伸的半导体材料、以及围绕每一晶体管的半导体材料在第二方向上延伸的栅极结构。鳍状物隔离结构可以在晶体管之间沿着第二方向延伸，以在晶体管之间提供电隔离。鳍状物隔离结构可以包括沉积在晶体管之间延伸的沟槽内的一种或多种电介质材料。导电过孔延伸穿过鳍状物隔离结构的核心以在集成电路的前侧特征和背侧特征之间提供电连接。以这种方式，导电过孔与鳍状物隔离结构共享相同的位置，这提供了对给定管芯上的有限空间的高效使用。