一种GaN基蓝光半导体激光器芯片

本发明公开了一种GaN基蓝光半导体激光器芯片，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有声子散射增强层，所述声子散射增强层包括第一声子散射增强层、第二声子散射增强层和第三声子散射增强层。本发明通过特定元素比例分布，进一步抑制深能级陷阱和绝缘界面层，改善远离平衡态相变对应的对称性破缺使激光器在阈值处的突变现象，提升激光器的激光相干性和光束质量因子。