半导体器件之间的背侧图案化的鳍隔离结构

提供了形成具有从结构的背侧图案化的鳍隔离结构的集成电路的技术。FET(场效应晶体管)各自包括在源极区域和漏极区域之间共线地延伸的半导体材料，以及围绕每个FET的半导体材料延伸的栅极结构。鳍隔离结构可以在FET之间延伸以在FET之间提供电隔离。鳍隔离结构可以包括沉积在沟槽内并且从结构的背侧图案化以避免损坏FET的顶侧特征的一种或多种电介质材料。N沟道FET可以通过具有高k电介质衬垫和低k电介质填充物的鳍隔离结构隔开，并且P沟道FET可以通过具有高k电介质衬垫和包括高k和低k电介质材料的电介质填充物的鳍隔离结构隔开。