一种片上太赫兹耦合器芯片

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一种片上太赫兹耦合器芯片
申请号:CN202510227236
申请日期:2025-02-27
公开号:CN120073267A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种片上太赫兹耦合器芯片,由F‑P谐振腔、弯曲波导、锥型耦合波导、衬底结构组成,F‑P谐振腔由左右对称的布拉格光栅和位于中间的单模波导构成,用于对特定频率的信号产生谐振,实现滤波的效果;弯曲波导,用于传输太赫兹信号,其两端为锥型耦合波导,锥形耦合波导作为信号的输入和输出端口;衬底,用于固定F‑P谐振腔和弯曲波导。本发明耦合器芯片实现太赫兹高效耦合的同时,还能控制太赫兹波的传播,实现不同波段的滤波,该耦合器芯片结构实现了片上波导集成,提高了滤波选择性、降低了插入损耗、增强了带外抑制,并且实现大规模制造。
技术关键词
布拉格光栅 谐振腔 耦合器 深硅刻蚀工艺 弯曲波导结构 锥形 衬底结构 模式 信号 芯片结构 滤波方法 频率 波长
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