提高器件耐击穿能力的方法

本发明提供一种提高器件耐击穿能力的方法，提供芯片的元胞区版图和场限环结构版图，芯片元胞区内分布有沟槽型元胞结构；从俯视角度观察，场限环结构版图为环绕于元胞区版图外围的多圈环形图形，其中最内圈的环形图形为场限环主结图形，场限环主结图形处的四角均设置有扇形图形，扇形图形的弧贴合场限环主结图形的四角，扇形图形的两半径围成的区域延伸至元胞区版图的区域内；在进行芯片的制造时，利用场限环结构版图定义出场限环结构的形成区域，环形图形和扇形图形对应于衬底上的区域进行离子注入形成场限环结构。本发明通过对场限环主结角落位置形成深的不同类型掺杂来避免角落位置的优先击穿，进而提升器件雪崩击穿能力。