一种半导体存储装置的制备方法

本发明提供了一种半导体存储装置的制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过不设置光阻层和光罩，以对整个基底进行第一次离子注入的方式，以达到缩减形成第一阱区和第二阱区的光罩、光刻等相关工艺的目的，而后再通过后续注入的离子进行的反型离子的中和，达到对应形成导电类型相反的第三阱区和第四阱区，进而达到减少制程工艺的步骤，降低嵌入式闪存芯片的制造成本，以及提高产品竞争力的目的。