一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法

本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法，包括步骤：提供待开孔的碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层；在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层及碲镉汞材料层，在所述钝化层形成开孔，在碲镉汞材料层形成沟槽，所述碲镉汞材料层中沟槽的深度小于所述碲镉汞材料层的厚度；采用湿法腐蚀工艺腐蚀所述沟槽侧壁及下方的碲镉汞材料层；去除所述钝化层表面的光刻胶。本发明提出的碲镉汞芯片钝化层的开孔方法可以有效降低采用干法刻蚀钝化层形成开孔产生的粗糙毛刺、微沟槽等问题。