一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法

本发明提出了一种碲镉汞芯片钝化层的开孔方法，包括步骤：提供待开孔的碲镉汞芯片，所述碲镉汞芯片依次包含衬底、碲镉汞材料层及钝化层；在所述钝化层表面设置图案化的光刻胶；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述钝化层，形成沟槽，所述沟槽深度小于所述钝化层厚度；采用湿法腐蚀工艺腐蚀所述沟槽侧壁及下方的钝化层，直至露出所述钝化层下方的碲镉汞材料层；去除所述钝化层表面的光刻胶。本发明提出的碲镉汞芯片钝化层的开孔方法可以有效降低钝化层开孔扩腐的问题。