一种氮化硅波导制备方法、硅光芯片及电子设备

本申请公开了一种氮化硅波导制备方法、硅光芯片及电子设备。本申请在制备氮化硅波导时，首先在SOI衬底的顶层硅层上沉积形成氧化硅层后，在氧化硅层上沉积形成多晶硅层，并通过ICP机台对多晶硅层进行图案化蚀刻，形成多个交错分布的多晶硅条状区域以及沟槽。之后，在多晶硅条状区域以及沟槽上沉积形成氮化硅层并进行平坦化，通过ICP机台对多晶硅条状区域进行回刻，以去除多晶硅条状区域并裸露出氧化硅层，完成氮化硅波导的制备。本申请通过采用ICP机台对多晶硅进行蚀刻来制备氮化硅波导的方式，能够减少蚀刻偏差和侧壁粗糙度，提高氮化硅波导区域的侧壁的垂直度和分辨率，同时避免蚀刻过程中破坏底部的二氧化硅，提高了氮化硅波导的良品率。