基于堆叠HTCC基板与无介质金属互联结构的高功率SiP封装

本发明提供的基于堆叠HTCC基板与无介质金属互联结构的高功率SiP封装，其包括：相对设置的高功率层和多功能层；高功率层和多功能层均包括HTCC基板，HTCC基板上设有至少一个腔室，对应层的电路器件容纳于腔室中，使得各层的电路相互独立，且各层功能得到最大化；在HTCC基板上还设有多个射频Pin针和信号Pin针组；高功率层和多功能层上的多个射频Pin针和信号Pin针组对应设置，通过BGA焊球连接，使得高功率层和多功能层实现堆叠设计的同时，还能够实现信号传输路径与对应功能路径之间隔离。