光芯片及其制备方法和应用

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种光芯片及其制备方法和应用。本申请中所述制备方法包括如下步骤：(1)在硅衬底表面依次沉积第一硬掩膜、第二硬掩膜、抗反射层和光刻胶；所述第二硬掩膜的材质包括非晶硅；(2)根据光芯片的结构依次刻蚀至少部分光刻胶、抗反射层、第二硬掩膜和第一硬掩膜；(3)去胶清洗，得到含有至少部分第二硬掩膜和第一硬掩膜的硅衬底，刻蚀硅衬底，去除第二硬掩膜和第一硬掩膜，得到所述光芯片。本申请所述制备方法可以制备小线宽尺寸和高深宽比的光芯片，尤其是超表面光芯片；而且，所述制备方法与CMOS工艺兼容，适用于常规CMOS生产线，可以大规模量产。