一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法

一种具有ITO缓冲层的Micro LED台面及其刻蚀均匀性制备方法，属于半导体器件及其加工工艺技术领域。本发明对原有工艺流程进行改进，使用ITO层作为ICP刻蚀缓冲层，在Micro LED台面刻蚀时速率按照晶圆中较快刻蚀速率的部分进行刻蚀，并进一步过刻以确保外延层刻透。本发明使用ITO作为缓冲层保护下层结构，再使用湿法腐蚀或物理刻蚀的手段去除多余缓冲层，以消除刻蚀不均匀产生的影响。进一步的，由于ITO缓冲层导电性良好，因此可以改善芯片的电流扩展效果、提升芯片亮度；以解决目前在Micro LED台面刻蚀工艺中，对晶圆整体而言刻蚀速率不均匀的问题，实现Micro LED芯片的良率优化。