基于正交方向同步电测的高精度二维纳米孔单分子检测芯片、芯片的制备方法及其应用

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基于正交方向同步电测的高精度二维纳米孔单分子检测芯片、芯片的制备方法及其应用
申请号:CN202510253954
申请日期:2025-03-05
公开号:CN120310888A
公开日期:2025-07-15
类型:发明专利
摘要
本发明属于单分子检测技术领域,具体涉及基于正交方向同步电测的高精度二维纳米孔单分子检测芯片、芯片的制备方法及其应用,包括:至少一个检测单元,且每个检测单元的检测环境相互独立;其中,所述一个检测单元包括:硅基底层、氮化硅层、金属电极层和二维材料层。本发明的芯片采用双孔设计、原子级薄的二维材料构筑纳米孔,具有高空间分辨率、使用寿命长,且可根据不同检测场景和需求调整定制纳米孔尺寸,应用该芯片进行待测分子的检测,可通过采用面向电流和法向电流同步测量方案实现待测分子的高精度和高准确度检测;本发明的芯片制备方法能根据待测单分子大小调整纳米孔尺寸,确保纳米孔的精确性和一致性,该制备方法具有高度的可重复性和一致性,广泛适用于不同应用场景,应用前景广泛。
技术关键词
二维材料 金属电极层 氮化硅层 单分子检测方法 纳米孔单分子 基底层 钛钨合金 单分子检测技术 六方氮化硼 通孔 检测芯片 石墨烯条带
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沪ICP备2023015588号