一种超导量子芯片及倒装焊工艺

本发明涉及芯片焊接技术领域，具体涉及一种超导量子芯片及倒装焊工艺，采用微纳制备方法在超导量子芯片的底片和顶片上分别制备铟柱；制备垫片；将底片和顶片分别安装在倒装焊设备上，并将多个垫片防止与底片上，将底片和顶片对准，用倒装焊机器完成键合。本发明倒装焊用的垫片是由钽箔制备。钽箔采购成本便宜，而且钽在低温下是超导，有利于提高芯片性能。厚度为10微米，完全复合超导量子芯片的倒装焊要求。钽箔硬度大，不易变形，完全可以抗住倒装焊的大的压力，保证倒装焊两个芯片之间的间隔均匀一致。利用钽箔做垫片，不需要增加额外的微纳加工工艺，从而解决了现有的芯片装焊工艺成本较高的问题。