一种三维堆叠芯片及其制作方法

本发明公开了一种三维堆叠芯片及其制作方法。三维堆叠芯片包括衬底、第一存储模块和逻辑模块；第一存储模块和逻辑模块依次堆叠在衬底上，第一存储模块设置在逻辑模块和衬底之间；第一存储模块的一面和逻辑模块形成导电连接，第一存储模块的另一面和衬底形成导电连接，使得逻辑模块能够与第一存储模块进行数据交互，并且借道第一存储模块和衬底与外界进行信号交互。本发明避免了逻辑模块产生的热量对存储模块的影响，显著提升了对逻辑模块的功耗容忍度，而且逻辑模块能够在整个工艺过程中提供足够的支撑强度，省去额外的支撑结构的同时，避免出现结构破损的情况。