一种氮化镓半导体芯片的外延结构

本发明提供一种氮化镓半导体芯片的外延结构，涉及半导体器件技术领域，Si衬底为外延结构的基础；AlN核化层设置在Si衬底上；步进梯度AlGaN缓冲层设置在AlN核化层上，包括四层子缓冲层，每层子缓冲层中的Al组分逐渐增加，从底部的接近AlN核化层的Al组分过渡到顶部的接近C掺杂GaN缓冲层的Al组分；C掺杂GaN缓冲层设置在步进梯度AlGaN缓冲层上；AlGaN背障层设置在C掺杂GaN缓冲层上；GaN通道层设置在AlGaN背障层上，用于电子传输；AlGaN障碍层设置在GaN通道层上，用于与GaN通道层共同形成二维电子气；Si钝化层设置在AlGaN障碍层上。