半导体器件、半导体封装和半导体封装方法

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推荐专利
半导体器件、半导体封装和半导体封装方法
申请号:CN202510258826
申请日期:2025-03-06
公开号:CN119764291B
公开日期:2025-06-17
类型:发明专利
摘要
本发明涉及半导体封装领域,提供一种半导体器件、半导体封装和半导体封装方法,该半导体器件应用于半导体封装,包括:堆叠设置的若干半导体芯片,其中,当前半导体芯片堆叠在下层半导体芯片上;当前半导体芯片的衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;第一表面用于提供互连层的附着表面;第二表面用于抵接下层半导体芯片顶端的互连层。该结构用于减少层间缝隙、层高波动从而减少填充间隙工艺步骤,确保封装后不会短路,以确保器件的性能。相比硅通孔工艺,无需精准的刻蚀硅片内部结构,降低了半导体器件堆叠的工艺难度。
技术关键词
半导体芯片 半导体封装方法 半导体器件 导电 硅通孔工艺 轮廓 刻蚀硅片 衬底 原子层沉积 电镀工艺 刻蚀工艺 气相 顶端 短路 缝隙 绝缘
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