摘要
本发明涉及半导体封装领域,提供一种半导体器件、半导体封装和半导体封装方法,该半导体器件应用于半导体封装,包括:堆叠设置的若干半导体芯片,其中,当前半导体芯片堆叠在下层半导体芯片上;当前半导体芯片的衬底具有相对设置的第一表面和第二表面;第一表面用于提供互连层的附着表面;第二表面用于抵接下层半导体芯片顶端的互连层。该结构用于减少层间缝隙、层高波动从而减少填充间隙工艺步骤,确保封装后不会短路,以确保器件的性能。相比硅通孔工艺,无需精准的刻蚀硅片内部结构,降低了半导体器件堆叠的工艺难度。
技术关键词
半导体芯片
半导体封装方法
半导体器件
导电
硅通孔工艺
轮廓
刻蚀硅片
衬底
原子层沉积
电镀工艺
刻蚀工艺
气相
顶端
短路
缝隙
绝缘