包括射频部件的集成电路芯片和制造方法

本公开涉及包括射频部件的集成电路芯片和制造方法。本公开描述涉及包括至少一个部件的集成电路芯片，该至少一个部件布置在包括半导体衬底的结构的内部和/或顶部上，该半导体衬底上设置有绝缘层，该绝缘层上设置有半导体层，其中至少两个PN结被设置在衬底和绝缘层之间的界面处。