一种通孔型垂直结构LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种通孔型垂直结构LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，包括层叠设置的N型导电板、金属键合层、绝缘组合结构层、电极连接层、金属反射层、电流扩展层和外延层，外延层的两侧分别设置有N型电极和P型电极，中央区域成型有N型孔洞；金属键合层穿过绝缘组合结构层接触N型半导体层；P型电极基于第一电极连接部连接金属反射层，电流扩展层直接接触P型半导体层；N型电极直接接触第二电极连接部，金属键合层穿过绝缘组合结构层接触第二电极连接部。本发明通过设置N型导电板、N型电极和P型电极，形成双N型导电电极结构，能够有效提高芯片的散热能力，避免芯片局部过热，从而有利于提高芯片的可靠性和稳定性。