硅-掺铒铌酸锂光子计算芯片及其光子卷积神经网络系统

本发明提出了一种硅‑掺铒铌酸锂光子计算芯片，采用晶片到晶圆的键合方式，实现硅与掺铒铌酸锂的异质集成，将增益型延时阵列、增益型电光调制器、层间耦合器、波导交叉结、硅基移相阵列和端面耦合器等器件单片集成，无需复杂的片间耦合工艺及光学互连步骤，有效避免片间耦合损耗。充分发挥掺铒铌酸锂片上光放大的优势，使得增益型电光调制器与波导增益型延时线等损耗型器件具备增益性能，进而补偿片上光学损耗，同时显著提升了信号处理的速度和执行复杂计算任务的能力。同时发挥硅高集成度、工艺成熟的优点；发挥铌酸锂高速电光调制的优点，突破单一材料平台对集成规模的限制，实现器件高密度集成。