基于SiC MOS的单端反激式开关电源系统及方法

AITNT
正文
推荐专利
基于SiC MOS的单端反激式开关电源系统及方法
申请号:CN202510266449
申请日期:2025-03-07
公开号:CN119834630A
公开日期:2025-04-15
类型:发明专利
摘要
本发明提供基于SiC MOS的单端反激式开关电源系统及方法,包括:输入滤波模块、SiC MOS主开关管、高频变压器、输出整流滤波模块、PWM控制模块、驱动电路及保护电路。本发明通过使用SiC MOSFET等高效器件,并结合动态能效优化算法,系统在满载和轻载条件下都能显著提高效率。与传统方案相比,效率提升了8%至10%以上,尤其在轻载和变载条件下,能够显著降低功率损耗。
技术关键词
开关电源系统 PWM控制模块 整流滤波模块 高频变压器 电压 梯度下降算法 损耗 同步整流电路 聚酰亚胺绝缘胶带 电流 高频交流电阻 优化开关频率 主开关管 磁芯材料 串联谐振电感 谐振电容
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种用于TTE分析仪的数据处理电路板
稳压芯片 数据处理电路板 时钟分配 电容 电阻
2
一种电池可靠性评估方法、装置、设备及存储介质
可靠性评估方法 LSTM模型 电池荷电状态 恒流充电 可靠性评估装置
3
一种可远距离传输的电流检测电路
滤波模块 运算放大器 电流检测电路 电平 三极管
4
一种LED显示器件及显示设备
数据输入引脚 IC芯片 LED显示器件 线路板 恒流驱动电路
5
一种阻性负载可控硅调光电源
可控硅调光电源 温差发电单元 调光控制单元 可控硅单元 转换单元
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号