一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用

本发明涉及一种相变调控的范德华结型晶体管红外探测芯片及其制备方法和应用，所述范德华结型晶体管红外探测芯片的单元结构自上而下包括二维材料层、金属电极、二氧化钒微纳结构、电学通道、CMOS读出电路；所述金属电极包括金属栅极、辅助电极、金属源极和金属漏极；所述二氧化钒微纳结构两端分别连接金属栅极和辅助电极，所述二维材料层两端分别连接金属源极和金属漏极；所述电学通道连接金属电极和衬底上CMOS读出电路。本发明制备的红外探测芯片显著提升了器件的响应速度，拓宽了响应范围，实现了超灵敏探测，并可实现自供电红外探测芯片，对于降低器件功耗和成本具有重要意义。