三维堆叠的单桥臂结构、制造方法及磁阻传感器

本发明公开了一种三维堆叠的单桥臂结构、制造方法及磁阻传感器，该三维堆叠的单桥臂结构包括：垂向堆叠的N层单层单桥臂，N大于等于2；所述单层单桥臂包含串联的多个磁隧道结单元；该N层单层单桥臂中除去最下层的单层单桥臂之外，从上至下数，奇数层的单层单桥臂中的第一磁隧道结单元与下一层单层单桥臂中的第一磁隧道结单元连接，偶数层的单层单桥臂中的第二磁隧道结单元与下一层单层单桥臂中的第二磁隧道结单元连接。本发明能够在降低噪声的同时有效减小最终制备出的磁阻传感器芯片的平面面积，有助于提高磁阻传感器的整体性能。