一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置

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一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置
申请号:CN202510270268
申请日期:2025-03-07
公开号:CN119967972A
公开日期:2025-05-09
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种LED芯片、高压LED芯片及发光装置,通过在发光台面设置使所述第一绝缘层与所述透明导电层、第二绝缘层、第二电极具有复合区域,从而通过所述透明导电层、第一绝缘层、第二电极以及第二绝缘层的相互结构关系形成ODR结构,光线在所述复合区域可形成全反射,从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出,藉以有效地提升光提取效率;同时,由于所述第二绝缘层设置于所述外延叠层的表面和第一电极/第二电极的部分表面,在所述第二电极的边缘可形成具有不同延伸方向的第一绝缘层与第二绝缘层以构建具有夹角的连接结构,可有效缓解LED芯片在特殊环境(如高温高压等)下所产生的张应力扩散,从而提高功能介质层(如透明导电层、绝缘层等)被焊崩或焊裂的风险,进而影响LED芯片的可靠性;并通过第一绝缘层与第二绝缘层的双重保护以提升LED芯片的防水汽能力。
技术关键词
高压LED芯片 透明导电层 电极 LED发光单元 电流阻挡层 发光装置 折射率匹配层 叠层 半导体层 外延 发光二极管 梯度折射率结构 孔洞 ODR结构 衬底 台面 光提取效率 LED单元
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