二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统

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二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统
申请号:CN202510274064
申请日期:2025-03-10
公开号:CN120379261A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体技术领域,具体为二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统。本发明系统由二维闪存阵列和CMOS外围电路单片集成得到,CMOS单片作为二维闪存阵列的外围电路,在器件级粒度上两者紧密结合;具体分为两层,上层是二维闪存阵列,下层是CMOS电路,二者通过TGV实现互联;并通过模块化通信方式使CMOS有效控制二维闪存阵列;本发明解决了两部分紧密结合时技术节点不匹配、异质集成带来的工艺污染以及电路架构重组发生冲突等技术问题。本发明中,CMOS利用二维闪存的高速读写特点,提升CMOS的时钟速度,提高未来芯片的工作效率;二维闪存利用CMOS成熟、高效的逻辑电路,优化二维闪存外围读取电路;推动二维闪存走向工业界的进程。
技术关键词
闪存阵列 异构系统 单片 表面平坦化工艺 电极 芯片测试系统 沟道层材料 介质 并行编程 光刻胶 电路架构 读取电路 金属走线 通孔 光刻技术 逻辑电路
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