摘要
本发明属于半导体技术领域,具体为二维闪存/CMOS单片集成的跨平台异构系统。本发明系统由二维闪存阵列和CMOS外围电路单片集成得到,CMOS单片作为二维闪存阵列的外围电路,在器件级粒度上两者紧密结合;具体分为两层,上层是二维闪存阵列,下层是CMOS电路,二者通过TGV实现互联;并通过模块化通信方式使CMOS有效控制二维闪存阵列;本发明解决了两部分紧密结合时技术节点不匹配、异质集成带来的工艺污染以及电路架构重组发生冲突等技术问题。本发明中,CMOS利用二维闪存的高速读写特点,提升CMOS的时钟速度,提高未来芯片的工作效率;二维闪存利用CMOS成熟、高效的逻辑电路,优化二维闪存外围读取电路;推动二维闪存走向工业界的进程。
技术关键词
闪存阵列
异构系统
单片
表面平坦化工艺
电极
芯片测试系统
沟道层材料
介质
并行编程
光刻胶
电路架构
读取电路
金属走线
通孔
光刻技术
逻辑电路
系统为您推荐了相关专利信息
电解质分析模块
固态电极
集成式电极
离子选择性电极
进样口
生命体征监测传感器
溺水检测装置
溺水检测方法
主控芯片
信号发射装置
非金属管道
压电传感器
压电集成电路
声波
单片机
触觉感知装置
力传递结构
半导体晶片
微纳结构阵列
力传递单元
人体感应功能
语音提示装置
人体感应模块
语音播报模块
控制模块