摘要
为改善现有的喷墨芯片中加热电阻层、导电层交界处的两层倾斜阶梯状架构中,其机械强度、使用寿命、节能性与生产良率的不足,本发明提出一种新颖的喷墨芯片结构,其包括:基板层、加热电阻器与保护层。加热电阻器设于基板层上。保护层覆盖于加热电阻器上。加热电阻器具有加热电阻层和介电层。保护层开设有数个凹陷结构。凹陷结构的底部至加热电阻层的顶部具有一距离,该距离的范围介于1.5x 10‑7m至1.4x 10‑6m之间。
技术关键词
喷墨芯片
加热电阻器
凹陷结构
电阻层
导电层
氮化钽
基板
五氧化二铌
多晶硅材料
钛钨合金
氮化钛
二氧化铪
金属材料
碳化硅
二氧化锆
氧化铟锡
硫化镉
墨水