喷墨芯片结构

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喷墨芯片结构
申请号:CN202510275379
申请日期:2025-03-10
公开号:CN120828593A
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
为改善现有的喷墨芯片中加热电阻层、导电层交界处的两层倾斜阶梯状架构中,其机械强度、使用寿命、节能性与生产良率的不足,本发明提出一种新颖的喷墨芯片结构,其包括:基板层、加热电阻器与保护层。加热电阻器设于基板层上。保护层覆盖于加热电阻器上。加热电阻器具有加热电阻层和介电层。保护层开设有数个凹陷结构。凹陷结构的底部至加热电阻层的顶部具有一距离,该距离的范围介于1.5x 10‑7m至1.4x 10‑6m之间。
技术关键词
喷墨芯片 加热电阻器 凹陷结构 电阻层 导电层 氮化钽 基板 五氧化二铌 多晶硅材料 钛钨合金 氮化钛 二氧化铪 金属材料 碳化硅 二氧化锆 氧化铟锡 硫化镉 墨水
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沪ICP备2023015588号