一种闪存器件结构及其仿真方法

本发明公开了一种闪存器件结构及其仿真方法，涉及半导体存储技术领域，闪存器件结构包括：存储串；存储串包括依次垂直堆叠的顶部选择管、虚拟存储单元、至少一个存储单元、虚拟存储单元和底部选择管；顶部选择管、虚拟存储单元、存储单元和底部选择管均包括由内而外依次设置的填充层、多晶硅沟道层、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、铁电层和金属栅极；多晶硅沟道层的两端分别设置有靠近顶部选择管的漏极和靠近底部选择管的源极；相邻的金属栅极之间设置有非导电绝缘层。基于上述方案，通过引入铁电层提升闪存可靠性。