DRAM存储器及端侧设备

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DRAM存储器及端侧设备
申请号:CN202510279635
申请日期:2025-03-07
公开号:CN120199298A
公开日期:2025-06-24
类型:发明专利
摘要
本发明涉一种DRAM存储器及端侧设备,其中,DRAM存储器,包括:DRAM存储电路,用于供所述DRAM存储器存储或访问数据;逻辑电路,用于执行DRAM存储器的计算任务;以及DRAM存储电路控制模块,与所述DRAM存储电路及所述逻辑电路相连接,能够产生用于刷新所述DRAM存储电路的刷新信号,并在所述刷新信号及所述逻辑电路的数据访问信号同时存在时,控制所述DRAM存储电路优先响应所述刷新信号。如此设计,能够避免逻辑电路的数据访问信号及DRAM存储电路的刷新信号出现冲突。
技术关键词
刷新控制模块 存储电路 逻辑电路 DRAM存储器 数据访问 信号 存储控制器 共享存储单元 读写控制模块 存储芯片 模式 输入端 指令
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