超高像素密度Micro-LED微显示器件像素寻址方法及装置

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超高像素密度Micro-LED微显示器件像素寻址方法及装置
申请号:CN202510280369
申请日期:2025-03-11
公开号:CN119785703B
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种超高像素密度Micro‑LED微显示器件像素寻址方法及装置。该方法:对Micro‑LED微显示器件的像素阵列结构参数进行补偿参数采集,得到像素补偿基准值;对阈值电压偏差分布特征进行补偿网络构建,得到阈值电压补偿网络;对供电金属走线进行分段设计,得到IR Drop补偿参数;通过双层补偿因子的马尔科夫决策推理模型进行工艺补偿计算,得到工艺补偿数据;进行寻址控制的时序优化,得到行列扫描信号时序参数;对行列扫描信号时序参数进行光电特性测试,采集显示均匀性数据,并通过补偿参数评估得到目标补偿配置参数。本发明的实施在降低芯片引脚数量的同时保证了驱动时序的稳定性。
技术关键词
LED微显示器 信号时序参数 像素阵列结构 像素补偿 寻址方法 金属走线 数据 测试系统配置 迁移率参数 分布特征 构建状态转移模型 因子 网络 偏差 补偿晶体管 分段 矩阵
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