一种逐层原位生长法制备2D-MoS2/1D-CuPc复合材料及其应用

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一种逐层原位生长法制备2D-MoS2/1D-CuPc复合材料及其应用
申请号:CN202510282896
申请日期:2025-03-11
公开号:CN120169304A
公开日期:2025-06-20
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种逐层原位生长法制备二维‑硫化钼/一维酞菁铜(2D‑MoS2/1D‑CuPc)复合材料及其应用。所述复合材料由硫化钼(MoS2纳米片)及其表面的酞菁铜(CuPc)薄膜制成,其中,所述CuPc薄膜逐层原位生长于所述MoS2纳米片的表面形成复合材料。气敏传感测试结果表明,所述复合材料对氨气(NH3)、丙酮(C3H6O)和甲醛(CH2O)气体具有响应性能。此外,2D‑MoS2/1D‑CuPc复合材料对NH3的敏感性最高,对NH3的响应值达到0.29,响应和恢复时间分别为15s和12.5s。通过雷达图分析,在CH2O、C3H6O和NH3三种目标气体中,2D‑MoS2/1D‑CuPc复合材料表现出对于NH3选择性,实现了在室温下对三种目标气体的识别检测。
技术关键词
MoS2纳米片 复合材料 气敏传感器 原位生长法 酞菁铜 气敏材料 陶瓷基板 硫化钼 液相剥离法 气相 陶瓷电极 薄膜 传感芯片 吡咯烷酮 管式炉 气体 涂覆
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