背照式CMOS芯片的衬底减薄方法、芯片和电子设备

本发明公开了背照式CMOS芯片的衬底减薄方法、芯片和电子设备，涉及图像传感器技术领域，所述方法包括：对芯片进行完好性检测；利用夹具夹持完好的芯片，对衬底需要减薄的区域进行湿法腐蚀以初步减薄需要减薄的区域，所述夹具能够防止腐蚀液超出需要减薄的区域；利用干法刻蚀工艺刻蚀所述需要减薄的区域以进一步减薄所述需要减薄的区域；使刻蚀处形成氧化层。本发明提供了一种适合背照式CMOS芯片的衬底减薄的方法，通过该方法能够降低芯片钝化层的厚度和提高CMOS芯片的电荷收集效率，而且对芯片的损坏率极低。