一种基于中子衍射的复杂磁结构逐步逼近精修方法

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一种基于中子衍射的复杂磁结构逐步逼近精修方法
申请号:CN202510286172
申请日期:2025-03-12
公开号:CN120220841B
公开日期:2025-10-17
类型:发明专利
摘要
本发明提出了一种基于中子衍射的复杂磁结构逐步逼近精修方法,适用于科学仪器和材料研究行业,主要针对新型磁性材料的研发、性能评估和质量控制,通过提供一种系统化的逐步逼近精修策略,实现复杂磁结构(包括磁矩大小和排列方向)的高精度解析,为磁性材料的基础研究和工业应用提供重要的实验表征方法和手段,更具体的是,旨在通过系统化的步骤设计和改进的优化算法,包括数据获取与初步分析、基础模型构建、逐步逼近精修策略、模型复杂化、最终精修结果确认,提高复杂磁结构解析的可靠性和效率。本发明的提出,有望为复杂磁性材料的研究提供更坚实的实验基础,推动磁性材料科学领域的进一步发展。
技术关键词
精修方法 磁结构 磁性材料科学 中子衍射技术 新型磁性材料 衍射特征 表征方法 策略 基础 物理 因子 复杂度 数据 构型 图谱 离子 算法 阶段
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