一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品

本申请公开了一种掩模图形确定方法、设备、介质及产品，应用于半导体技术领域。本方法中，刻蚀偏差由第一刻蚀图形和第一光刻图形确定，而第一刻蚀图形基于第一子图像和第二子图像融合得到。第一子图像由物理效应模拟单元基于第一光刻图形生成，第二子图像由神经网络单元基于第一光刻图形生成。其中，神经网络单元能够有效提升刻蚀模型对数据的拟合能力，进而提高刻蚀模型的准确性，以得到准确的第一刻蚀偏差。同时，刻蚀的物理效应模拟单元模拟了实际的物理效应，能够防止刻蚀模型过拟合的情况发生。